产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO: 475 V
集电极—射极饱和电压: 1.25 V
栅极/发射极最大电压: 16 V
在25 C的连续集电极电流: 25 A
Pd-功率耗散: 150 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGB20N45LZAG
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 25 A
栅极—射极漏泄电流: 625 uA
产品类型: IGBT Transistors
1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.380 g
