类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 17.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5030 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
391W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R080
