IPD90R1K2C3只做原装实单价优
代理现货IPD90R1K2C3供应
有关咨询IPD90R1K2C3价格
IPD90R1K2C3供货情况
IPD90R1K2C3库存数量
IPD90R1K2C3规格书
IPD90R1K2C3产品购买，请联系！
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 5.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 940 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 28 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 40 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品: Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 400 ns
典型接通延迟时间: 70 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD9R1K2C3XT SP000413720 IPD90R1K2C3BTMA1
单位重量: 330 mg
公司成立2008年，拥有15年供货经验，主营ALTERA XILINX
我们只从原厂或者代理商正规渠道进货，保证原厂原装。
本公司有海量现货，共有40万多种元器件。现货当天发货！
本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足，我们提供订货服务， 国外交货5-7个工作日
我们支持零售。解决样片采购难题，一片起卖，为您提供一站式BOM配单采购服务。
