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制造商: Renesas Electronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PF
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Renesas Electronics
下降时间: 50 ns
正向跨导 - 最小值: 0.45 S
高度: 5.5 mm
长度: 26.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 15.5 mm
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