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制造商: TT Electronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
工作频率: 1 GHz
增益: 10 dB
输出功率: 5 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DQ
商标: Semelab / TT Electronics
配置: Dual
Pd-功率耗散: 35 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
晶体管类型: DMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V to 7 V
单位重量: 7.744 g
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