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类型 描述 全选
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS™
包装 卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 50 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 260mW（Ta），830mW（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TA）
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-323
封装/外壳 SC-70，SOT-323
基本产品编号 BSS138
公司成立2008年，拥有17年供货经验
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